台积电：3纳米将成为又一个“长节点”

据国外媒体报道，TSMC在年度技术研讨会的预热活动中介绍了其对未来半导体制造工艺的展望。

该公司高级副总裁张凯龙表示，TSMC将在2纳米工艺中用纳米片配置取代FinFET在较小的节点上，该公司正在研究晶体管架构，如具有垂直堆叠PN结的CFET，以及二硫化钼二维材料和碳纳米管的潜力

张凯龙还说，TSMC确信3纳米将是一个长节点，我们会看到大量客户的需求，3 nm和2 nm的需求会长期共存。

另一位分析师指出，三星目前在3 nm节点引入纳米片技术可能会适得其反，因为客户担心新配置带来的不确定性就过程能力而言，TSMC过去的表现让客户更放心

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